光伏百科：硅片清洗及原理，硅片清洗

　下面讨论各种步骤中试剂的作用。

　a.有机溶剂在清洗中的作用

　用于硅片清洗常用的有机溶剂有甲苯、丙酮、酒精等。在清洗过程中，甲苯、丙酮、酒精等有机溶剂的作用是除去硅片表面的油脂、松香、蜡等有机物杂质。所利用的原理是“相似相溶”。

　b.无机酸在清洗中的作用

　硅片中的杂质如镁、铝、铜、银、金、氧化铝、氧化镁、二氧化硅等杂质，只能用无机酸除去。有关的反应如下：

　2Al+6HCl=2AlCl3+3H2↑

　Al2O3+6HCl=2AlCl3+3H2O

　Cu+2H2SO4= CuSO4 +SO2↑+2H2O

　2Ag+2H2SO4=2Ag2SO4+SO2↑+2H2O

　Cu+4HNO3= Cu（NO3）2 +2NO2↑+2H2O

　Ag+4HNO3= AgNO3+2NO2↑+2H2O

　Au+4HCl+HNO3=H［AuCl4］ +NO↑+2H2O

　SiO2+4HF=SiF4↑+2H2O

　如果HF 过量则反应为：SiO2+6HF=H2［SiF6］+2H2O

　H2O2 的作用：在酸性环境中作还原剂，在碱性环境中作氧化剂。在硅片清洗中对一些难溶物质转化为易溶物质。如：

　As2S5+20 H2O2+16NH4OH=2（NH4）3AsO4+5（NH4）2SO4+28H2O

　MnO2+ H2SO4+ H2O2= MnSO4+2H2O+O2↑

　c.RCA 清洗方法及原理

　在生产中，对于硅片表面的清洗中常用RCA 方法及基于RCA 清洗方法的改进，RCA 清洗方法分为Ⅰ号清洗剂（APM）和Ⅱ号清洗剂（HPM）。Ⅰ号清洗剂（APM）的配置是用去离子水、30%过氧化氢、25%的氨水按体积比为：5:1：1 至5:2：1；Ⅱ号清洗剂（HPM）的配置是用去离子水、30%过氧化氢、25%的盐酸按体积比为：6:1：1 至8:2：1。其清洗原理是：氨分子、氯离子等与重金属离子如：铜离子、铁离子等形成稳定的络合物如：［AuCl4］-、［Cu（NH3）4］2+、［SiF6］2-。